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TK10E60W,S1VX /MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
TK10E60W,S1VX的規格信息
TK10E60W,S1VX的圖片

圖像僅供參考,請參閱規格書

制造商:Toshiba

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續漏極電流:9.7 A

Rds On-漏源導通電阻:380 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:20 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15.1 mm

長度:10.16 mm

系列:TK10E60W

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.45 mm

商標:Toshiba

下降時間:5.5 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:22 ns

工廠包裝數量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:75 ns

典型接通延遲時間:45 ns

單位重量:6 g

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深圳亞泰盈科電子有限公司TK10E60W,S1VX(S深圳市福田區華強路佳和大廈A座2101室0755-82566826
13928452225
鐘麗君,蔡丹婷skype:微信13725557767Email:284529703@QQ.COM詢價
深圳市艾睿創芯科技有限公司TK10E60W,S1VX深圳市福田區華強北街道華航社區振興路101號華發大院2棟5050755-82795979,82795919
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深圳市匯思成科技有限公司TK10E60W,S1VX深圳市福田區中航路國利大廈14090755-23619322-8001
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安富利電子(西安)有限公司TK10E60W,S1VX高新區金橋國際廣場A座10701室029-88811644
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TK10E60W,S1VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
500+:¥12.07
1000+:¥10.1801
2500+:¥9.67011+:¥16.23
10+:¥14.49
100+:¥11.84
250+:¥10.77
500+:¥10.77
1000+:¥10.28
2500+:¥9.89
5000+:¥9.64
10000+:¥9.041+:¥11.93
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Digi-Key 得捷電子
TK10E60W,S1VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
500+:¥12.07
1000+:¥10.1801
2500+:¥9.6701
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TK10E60W,S1VXToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1:¥21.5152
10:¥17.289
100:¥15.8313
250:¥14.2945
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Mouser 貿澤電子
TK10E60W,S1VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
500+:¥12.07
1000+:¥10.1801
2500+:¥9.67011+:¥16.23
10+:¥14.49
100+:¥11.84
250+:¥10.77
500+:¥10.77
1000+:¥10.28
2500+:¥9.89
5000+:¥9.64
10000+:¥9.04
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