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TK10A60W5,S5VX /MOSFET Power MOSFET N-Channel
TK10A60W5,S5VX的規格信息
TK10A60W5,S5VX的圖片

圖像僅供參考,請參閱規格書

制造商:Toshiba

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續漏極電流:9.7 A

Rds On-漏源導通電阻:350 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:25 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:DTMOSIV

封裝:Tube

高度:15 mm

長度:10 mm

系列:TK10A60W

寬度:4.5 mm

商標:Toshiba

下降時間:5.5 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:40 ns

工廠包裝數量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:85 ns

典型接通延遲時間:75 ns

單位重量:6 g

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