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TK10A60W,S4VX /MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
TK10A60W,S4VX的規格信息
TK10A60W,S4VX的圖片

圖像僅供參考,請參閱規格書

制造商:Toshiba

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續漏極電流:9.7 A

Rds On-漏源導通電阻:327 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:20 nC

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:DTMOSIV

高度:15 mm

長度:10 mm

系列:TK10A60W

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.5 mm

商標:Toshiba

下降時間:5.5 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:22 ns

工廠包裝數量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:75 ns

典型接通延遲時間:45 ns

單位重量:6 g

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TK10A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
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Mouser 貿澤電子
TK10A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.461+:¥16.23
10+:¥14.49
100+:¥11.84
250+:¥10.77
500+:¥10.77
1000+:¥10.28
2500+:¥9.89
5000+:¥9.64
10000+:¥9.04
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Mouser 貿澤電子
TK10A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1:¥21.5152
10:¥17.289
100:¥15.8313
250:¥14.2945
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Verical
TK10A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.461+:¥16.23
10+:¥14.49
100+:¥11.84
250+:¥10.77
500+:¥10.77
1000+:¥10.28
2500+:¥9.89
5000+:¥9.64
10000+:¥9.041+:¥9.39
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