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TK10A60E,S5X / MOSFET N-CH 600V TO220SIS
TK10A60E,S5X的規格信息
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圖像僅供參考,請參閱規格書

FET特點:Standard

封裝:Tube

安裝類型:Through Hole

的Vgs(th ) (最大)@ Id:4V @ 1mA

封裝/外殼:TO-220-3 Full Pack

供應商設備封裝:TO-220SIS

開態Rds(最大)@ Id ,V GS:750 mOhm @ 5A, 10V

FET型:MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大:45W

標準包裝:150

漏極至源極電壓(Vdss):600V

電流 - 連續漏極(Id ) @ 25 °C:10A (Ta)

輸入電容(Ciss ) @ VDS:1300pF @ 25V

閘電荷(Qg ) @ VGS:40nC @ 10V

工廠包裝數量:50

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V

晶體管類型:1 N-Channel

Qg - Gate Charge:40 nC

系列:TK10A60E

品牌:Toshiba

Id - Continuous Drain Current:10 A

身高:15.1 mm

安裝風格:Through Hole

長度:10.16 mm

通道數:1 Channel

Rds On - Drain-Source Resistance:750 mOhms

Pd - Power Dissipation:45 W

晶體管極性:N-Channel

配置:Single

技術:Si

RoHS:RoHS Compliant

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