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TK10A60E,S4X /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半導體產品
TK10A60E,S4X的規格信息
TK10A60E,S4X的圖片

圖像僅供參考,請參閱規格書

標準包裝:150

類別:分立半導體產品

家庭:FET - 單

系列:-

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):600V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V

功率 - 最大值:45W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 整包

供應商器件封裝:TO-220SIS

其它名稱:TK10A60E,S4X(STK10A60E,S5XTK10A60E,S5X(MTK10A60ES4XTK10A60ES4X(STK10A60ES4X(S-NDTK10A60ES5XTK10A60ES5X-ND

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安富利電子(西安)有限公司TK10A60E,S4X高新區金橋國際廣場A座10701室029-88811644
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