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TK10A60D(STA4,Q,M) /MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
TK10A60D(STA4,Q,M)的規格信息
TK10A60D(STA4,Q,M)的圖片

圖像僅供參考,請參閱規格書

制造商:Toshiba

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220SIS-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續漏極電流:10 A

Rds On-漏源導通電阻:750 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:25 nC

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:DTMOSIV

高度:15 mm

長度:10 mm

系列:TK10A60D

晶體管類型:1 N-Channel

類型:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

寬度:4.5 mm

商標:Toshiba

正向跨導 - 最小值:1.5 S

下降時間:15 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:22 ns

工廠包裝數量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:100 ns

典型接通延遲時間:55 ns

單位重量:6 g

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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
25+:¥12.82
100+:¥11.53
250+:¥10.26
500+:¥8.97
1000+:¥7.44
2500+:¥6.9358+:¥7.31
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
25+:¥12.82
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品 半導體 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
25+:¥12.82
100+:¥11.53
250+:¥10.26
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1000+:¥7.44
2500+:¥6.93
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TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1:¥17.2099
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500:¥9.6841
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