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TK10A60D(Q,M) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半導體產品
TK10A60D(Q,M)的規格信息
TK10A60D(Q,M)的圖片

圖像僅供參考,請參閱規格書

標準包裝:50

類別:分立半導體產品

家庭:FET - 單

系列:-

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):600V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V

功率 - 最大值:45W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 整包

供應商器件封裝:TO-220SIS

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