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TK10A55D(STA4,Q,M) /
TK10A55D(STA4,Q,M)的規格信息
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圖像僅供參考,請參閱規格書

FET 類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):550V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC

電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1200pF

電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:25V

功率耗散(最大值):45W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):720 毫歐 @ 5A,10V

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-220SIS

封裝/外殼:TO-220-3 整包

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

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深圳市匯思成科技有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)深圳市福田區中航路國利大廈14090755-23619322-8001
13632962857
孫小姐Email:szhscdz@hsc-dz.com詢價
安富利電子(西安)有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)高新區金橋國際廣場A座10701室029-88811644
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深圳市科美奇科技有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)賽格廣場30樓3002室【公司非常歡迎您的到來】0755-83218135,83214146
【13724250287】
朱先生,汪小姐Email:szkemeiqi@163.com詢價
深圳市天卓偉業電子有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)華強北街道華強廣場A座20J0755-83275789
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深圳市芯冪科技有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)深圳市福田區華強電子世界1號樓10A8240133-02539501
13302539501
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TK10A55D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品50+:¥13.511+:¥8.8799
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TK10A55D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 單 - 分立半導體產品50+:¥13.51
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TK10A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A1:¥17.7523
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥10.0683
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